X線光電子分光分析装置

概要

軟X線を試料に照射し発生する光電子を検出して、束縛エネルギーと強度から構成元素及び化学状態を分析します。軟X線により励起された光電子の脱出深さは最表面から数nmのため、分析深さは極表面の数nmです。

特徴

（１）組成分析
・定性分析可能な元素Li～U（検出下限０．１atom%）
・定量下限１atom%
・測定領域 １０～２００μmφ

（２）化学状態分析
・化学結合状態の測定が可能

（３）マッピング分析
・面方向の組成／化学状態分析が可能

（４）深さ方向分析
・角度分解(試料を傾斜させて測定する方法)
・イオンエッチング法(Arイオン銃、GCIB※により無機物及び有機物の深さ方向分析が可能)
　※GCIB：Gas Cluster Ion Beam

分析事例

（1）無機物の化学状態分析
単体のSi及びSiO₂のSi2pスペクトルを図３に示します。単体及び酸化物では化学状態が異なるため、束縛エネルギーの異なる位置にピークが観測されます。このように、束縛エネルギーから化学状態を推定することが可能です。

（2）有機物の化学状態分析
ポリエチレンテレフタレート(PET、図4)のC1sスペクトルを図5に示します。PETの場合、3種類の化学状態に対応する3つのピークが観測されます。