概要
200kV の高電圧で加速した電子線を試料内に透過させることにより、試料の原子で回折や散乱された電子を透過電子像(TEM 像)や電子線回折パターンとして得て、内部組織や結晶構造を調べることができます。また、電界放射型の特徴である細く絞られた電子線でナノメーターオーダーの分解能を持つ走査透過電 子像(STEM 像)を得ることができます。この細い電子線を利用してエネルギー分散型X 線検出器(EDS)によるナノオーダー領域での組成分析もできます。
さらに、高角度に散乱された散乱電子を用いて試料の組成像(Z コントラスト像)を観察出来ます。
＜得られる情報＞
- 物質の形態や内部組織の観察
- 結晶物質の構造（電子線回折、高分解能像）
- ナノオーダーでの組成分析、元素の分布解析(B～Ｕ)
- Z コントラストによるナノオーダーの組成像
分析方法
適用分野
セラミックス・ゼオライト、その他無機製品、フラットパネルディスプレイ、電池・半導体材料
