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技術資料
No.T1111 | 2013.10.01

フラッシュメモリの断面観察 (FE-SEM/EDS)

概要

FE-SEMは従来のSEMに比べ、低加速電圧・高分解能での観察も可能です。また、付属のエネルギー分散型X線分析装置(EDS)により、数十ナノメートルの空間分解能で元素分析を行うことができます。

性能

・観察倍率 ~300,000倍
・加速電圧 0.1~30 kV
(低ダメージ観察,無蒸着観察が可能)
・分解能 1nm (15kV)
・元素分析 B~U

分析事例の紹介

フラッシュメモリの断面をFE-SEMで観察し、EDSで元素分析を行いました。
下図のように、数十ナノメートルオーダーでの元素マッピングが可能です。

分析事例では、バリア材料のTi,N、配線材料のW,Alなどの微細構造を元素ごとに明瞭に観察することができました。

適用分野
電池・半導体材料
キーワード
フラッシュメモリ

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